TK10A50D(STA4,Q,M), МОП-транзистор N-Ch MOS 10A 500V 45W 1050pF 0.72
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
МОП-транзистор N-Ch MOS 10A 500V 45W 1050pF 0.72
Артикул:
TK10A50D(STA4,Q,M)
Производитель:
Описание TK10A50D(STA4,Q,M)
| Продукт | MOSFET |
|---|---|
| Тип | N-Channel Silicon MOSFET |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Серия | TK10A50D |
| Коммерческое обозначение | MOSVII |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка | Tube |
| Вес изделия | 2.270 g |
| ECCN | EAR99 |
| Длина | 10 mm |
| Технология | Si |
| Ширина | 4.5 mm |
| Высота | 15 mm |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Конфигурация | Single |
| Pd - рассеивание мощности | 45 W |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 500 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 10 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 620 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Qg - заряд затвора | 20 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Время спада | 10 ns |
| Время нарастания | 25 ns |
| Типичное время задержки выключения | 75 ns |
| Типичное время задержки при включении | 60 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара