RGT8NS65DGTL, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 4A IGBT Stop Trench
Код товара: 10435887
Цена от:
78,52 руб.
Нет в наличии
Описание RGT8NS65DGTL
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Упаковка / блок | TO-263-3 |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Серия | RGT8NS65D |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Pd - рассеивание мощности | 65 W |
| ECCN | EAR99 |
| Технология | Si |
| Вес изделия | 2 g |
| Диапазон рабочих температур | 40 C to + 175 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 650 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 4 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.65 V |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 30 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 8 A |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 8 A |
| Ток утечки затвор-эмиттер | +/- 200 nA |
Способы доставки в Калининград
Доставка RGT8NS65DGTL , Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 4A IGBT Stop Trench
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 807 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 710 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2179 ₽
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара