RW1E015RPT2R, МОП-транзистор 4V Drive Pch МОП-транзистор Drive Pch
Код товара: 10435854
Цена от:
13,09 руб.
Нет в наличии
Описание RW1E015RPT2R
Вид монтажа | SMD/SMT |
---|---|
Упаковка / блок | SOT-563-6 |
Тип | Power MOSFET |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Серия | RW1E015RP |
Упаковка | Reel, Cut Tape |
Количество каналов | 1 Channel |
Pd - рассеивание мощности | 700 mW |
ECCN | EAR99 |
Продукт | MOSFET |
Технология | Si |
Высота | 0.65 mm |
Длина | 1.7 mm |
Ширина | 1.4 mm |
Вес изделия | 3 mg |
Конфигурация | Single with ESD Protection Diode |
Время нарастания | 8 ns |
Время спада | 13 ns |
Тип транзистора | 1 P-Channel |
Полярность транзистора | P-Channel |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 270 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
Id - непрерывный ток утечки | 1.5 A |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
Канальный режим | Enhancement |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 1.2 S |
Типичное время задержки выключения | 40 ns |
Типичное время задержки при включении | 12 ns |
Qg - заряд затвора | 6.5 nC |
Способы доставки в Калининград
Доставка RW1E015RPT2R , МОП-транзистор 4V Drive Pch МОП-транзистор Drive Pch
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 874 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 773 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2177 ₽
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара