NSBC115EDXV6T1G, Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50V Dual NPN
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50V Dual NPN
Артикул:
NSBC115EDXV6T1G
Производитель:
Описание NSBC115EDXV6T1G
Вид монтажа | SMD/SMT |
---|---|
Упаковка / блок | SOT-563-6 |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Серия | NSBC115EDXV6 |
Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
Вес изделия | 3 mg |
ECCN | EAR99 |
Длина | 1.6 mm |
Ширина | 1.2 mm |
Высота | 0.55 mm |
Pd - рассеивание мощности | 357 mW |
Конфигурация | Dual |
Полярность транзистора | NPN |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
Непрерывный коллекторный ток | 0.1 A |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 80 |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 80 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара