SIHB12N50E-GE3, МОП-транзистор 500V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
Код товара: 10431092
Цена от:
231,30 руб.
Нет в наличии
Описание SIHB12N50E-GE3
| Серия | E |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Вес изделия | 1.438 g |
| Упаковка / блок | TO-263-3 |
| Упаковка | Bulk |
| Pd - рассеивание мощности | 114 W |
| Время спада | 12 ns |
| Время нарастания | 16 ns |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 550 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 10.5 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 380 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
| Qg - заряд затвора | 25 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Типичное время задержки выключения | 29 ns |
| Типичное время задержки при включении | 13 ns |
Способы доставки в Калининград
Доставка SIHB12N50E-GE3 , МОП-транзистор 500V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 807 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 710 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2179 ₽
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара