DMT8012LPS-13, МОП-транзистор N-Ch Enh Mode FET 80V 20Vgss 80A
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
МОП-транзистор N-Ch Enh Mode FET 80V 20Vgss 80A
Артикул:
DMT8012LPS-13
Производитель:
Описание DMT8012LPS-13
| Количество каналов | 1 Channel |
|---|---|
| Упаковка / блок | PowerDI5060-8 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Серия | DMT8012 |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Pd - рассеивание мощности | 2.1 W |
| Вес изделия | 96 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 80 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 65 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 14 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Qg - заряд затвора | 34 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Конфигурация | Single |
| Высота | 1 mm |
| Длина | 5.8 mm |
| Ширина | 4.9 mm |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Время спада | 3.5 ns |
| Время нарастания | 3.8 ns |
| Типичное время задержки выключения | 16.5 ns |
| Типичное время задержки при включении | 4.9 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара