MMBT3416LT3G, Биполярные транзисторы - BJT 40 V NPN Bipolar Transistor
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Биполярные транзисторы - BJT 40 V NPN Bipolar Transistor
Артикул:
MMBT3416LT3G
Производитель:
Описание MMBT3416LT3G
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
|---|---|
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Длина | 2.9 mm |
| Ширина | 1.3 mm |
| Высота | 0.94 mm |
| Серия | MMBT3416L |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Вес изделия | 8 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 225 mW |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | NPN |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 40 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 4 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 100 mA |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 75 MHz |
| Непрерывный коллекторный ток | 0.1 A |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 75 |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 300 mV |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара