DST857BDJ-7, Биполярные транзисторы - BJT BIPOLAR TRANS PNP
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Биполярные транзисторы - BJT BIPOLAR TRANS PNP
Артикул:
DST857BDJ-7
Производитель:
Описание DST857BDJ-7
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Упаковка / блок | SOT-963-6 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Серия | DST857 |
| Вес изделия | 27 g |
| ECCN | EAR99 |
| Pd - рассеивание мощности | 300 mW |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | PNP |
| Конфигурация | Dual |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 45 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 500 mV |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 100 mA |
| Непрерывный коллекторный ток | 100 mA |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 200 at - 2 mA, - 5 V |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 340 MHz |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 470 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара