IGB15N65S5ATMA1, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS
Код товара: 10422010
Изображения служат только для ознакомления.
Цена от:
202,62 руб.
Нет в наличии
Описание IGB15N65S5ATMA1
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| ECCN | EAR99 |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Упаковка / блок | TO-263-3 |
| Конфигурация | Single |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 650 V |
| Pd - рассеивание мощности | 105 W |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.35 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 35 A |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 35 A |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
Способы доставки в Калининград
Доставка IGB15N65S5ATMA1 , Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS
в город Калининград
Boxberry
от 9 раб. дней
от 761 ₽
DPD РФ
от 7 раб. дней
от 670 ₽
Деловые линии
от 10 раб. дней
от 1586 ₽
Почта РФ
от 10 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 4 раб. дней
от 1363 ₽
СДЭК
от 12 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара