PBSS4160PANP,115, Биполярные транзисторы - BJT 60V 1A NPN/PNP lo VCEsat transistor
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Биполярные транзисторы - BJT 60V 1A NPN/PNP lo VCEsat transistor
Артикул:
PBSS4160PANP,115
Производитель:
Описание PBSS4160PANP,115
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка / блок | DFN2020-6 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Конфигурация | Dual |
| Pd - рассеивание мощности | 1450 mW |
| Полярность транзистора | NPN, PNP |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 60 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 1.5 A |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 175 MHz, 125 MHz |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 430, 245 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 290, 245 |
| Непрерывный коллекторный ток | 1 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 90 mV, - 125 mV |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара