IPD65R660CFDA, МОП-транзистор N-Ch 650V 6A DPAK-2
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание IPD65R660CFDA
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Серия | CoolMOS CFDA |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Вес изделия | 340 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Длина | 6.5 mm |
| Коммерческое обозначение | CoolMOS |
| Ширина | 6.22 mm |
| Высота | 2.3 mm |
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| Конфигурация | Single |
| Время спада | 10 ns |
| Время нарастания | 8 ns |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 62.5 W |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 6 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 594 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Qg - заряд затвора | 20 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 40 ns |
| Типичное время задержки при включении | 9 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3.5 V |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара