SI2315BDS-T1-GE3, МОП-транзистор 12V 3.85A 1.19W 50mohm @ 4.5V
Код товара: 10418188
Цена от:
42,63 руб.
Нет в наличии
Описание SI2315BDS-T1-GE3
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
|---|---|
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Серия | SI2 |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Вес изделия | 8 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка / блок | TO-236-3 |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET |
| Pd - рассеивание мощности | 750 mW |
| Конфигурация | Single |
| Время спада | 50 ns |
| Время нарастания | 35 ns |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 12 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 3 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 50 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 8 V, + 8 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 900 mV |
| Qg - заряд затвора | 8 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 7 S |
| Типичное время задержки выключения | 50 ns |
| Типичное время задержки при включении | 15 ns |
| Тип транзистора | 1 P-Channel |
Способы доставки в Калининград
Доставка SI2315BDS-T1-GE3 , МОП-транзистор 12V 3.85A 1.19W 50mohm @ 4.5V
в город Калининград
Boxberry
от 9 раб. дней
от 761 ₽
DPD РФ
от 7 раб. дней
от 670 ₽
Деловые линии
от 10 раб. дней
от 1586 ₽
Почта РФ
от 10 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 4 раб. дней
от 1363 ₽
СДЭК
от 12 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара