BC856SF, Биполярные транзисторы - BJT 65 V, 100 mA PNP/PNP gen purpose trans
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Биполярные транзисторы - BJT 65 V, 100 mA PNP/PNP gen purpose trans
Артикул:
BC856SF
Производитель:
Описание BC856SF
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Вес изделия | 7.500 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Технология | Si |
| Упаковка / блок | TSSOP-6 |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Полярность транзистора | PNP |
| Конфигурация | Dual |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 65 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 80 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 100 mA |
| Pd - рассеивание мощности | 220 mW |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 100 mV |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара