SIR818DP-T1-GE3, МОП-транзистор 30 Volts 50 Amps 69 Watts
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание SIR818DP-T1-GE3
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
|---|---|
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка / блок | PowerPAK-SO-8 |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Серия | SIR |
| Pd - рассеивание мощности | 69 W |
| ECCN | EAR99 |
| Вес изделия | 506.600 mg |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET, PowerPAK |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Технология | Si |
| Конфигурация | Single |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 2.8 mOhms |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 50 A |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Qg - заряд затвора | 95 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара