R6030KNX, МОП-транзистор Nch 600V 30A Si МОП-транзистор
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание R6030KNX
| Упаковка | Bulk |
|---|---|
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Вес изделия | 10 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 86 W |
| Канальный режим | Enhancement |
| Время спада | 50 ns |
| Время нарастания | 65 ns |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 30 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 115 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Qg - заряд затвора | 56 nC |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 10 S |
| Типичное время задержки выключения | 100 ns |
| Типичное время задержки при включении | 35 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара