SIHJ10N60E-T1-GE3, МОП-транзистор 600V Vds 30V Vgs PowerPAK SO-8L
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание SIHJ10N60E-T1-GE3
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
|---|---|
| Серия | E |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Вес изделия | 506.600 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка / блок | PowerPAK-SO-8-4 |
| Pd - рассеивание мощности | 89 W |
| Конфигурация | Single |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 10 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 313 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4.5 V |
| Qg - заряд затвора | 25 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Время спада | 13 ns |
| Время нарастания | 24 ns |
| Типичное время задержки выключения | 31 ns |
| Типичное время задержки при включении | 16 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара