RN1102MFV,L3F, Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built-in transistor

Name: RN1102MFV,L3F, Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built-in transistor
Brand: Toshiba Semiconductor
SKU: 10414383
Availability: OutOfStock

Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара

Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built-in transistor

Код товара: 10414383

Дата обновления: 07.11.2021 23:16

Цена и наличие
Сроки доставки

Доставка RN1102MFV,L3F , Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built-in transistor в город Калининград

Boxberry

от 9 раб. дней

от 761 ₽

DPD РФ

от 7 раб. дней

от 670 ₽

Деловые линии

от 10 раб. дней

от 1586 ₽

Почта РФ

от 15 раб. дней

от 290 ₽

EMS

от 4 раб. дней

от 1363 ₽

СДЭК

от 12 раб. дней

от 833 ₽

* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.

Описание RN1102MFV,L3F

Вид монтажа	SMD/SMT
Упаковка / блок	SOT-723
Упаковка	Reel, MouseReel, Cut Tape
Серия	RN1102
ECCN	EAR99
Pd - рассеивание мощности	150 mW
Полярность транзистора	NPN
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	50 V
Непрерывный коллекторный ток	100 mA
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	10 V
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	30
Типичное входное сопротивление	10 kOhms
Типичный коэффициент деления резистора	1

Хотите получить образцы?

Заказать образец

Рекламодатель:
ООО ТД «Промэлектроника»
erid: Kra23ThKf

← TC74VCX2125FTEL BD-02BMFM-LL7A01 →