MMBT6521LT1G, Биполярные транзисторы - BJT 100mA 40V NPN
Описание MMBT6521LT1G
Вид монтажа | SMD/SMT |
---|---|
Серия | MMBT6521L |
Вес изделия | 8 mg |
ECCN | EAR99 |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Длина | 2.9 mm |
Ширина | 1.3 mm |
Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
Высота | 0.94 mm |
Упаковка / блок | SOT-23-3 |
Технология | Si |
Pd - рассеивание мощности | 225 mW |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 25 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.5 V |
Конфигурация | Single |
Полярность транзистора | NPN |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 4 V |
Максимальный постоянный ток коллектора | 0.1 A |
Непрерывный коллекторный ток | 0.1 A |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 150 |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 40 V |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара