KSD880YTU, Биполярные транзисторы - BJT NPN Epitaxial Sil
Описание KSD880YTU
Упаковка | Tube |
---|---|
Серия | KSD880 |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Высота | 9.4 mm (Max) |
Длина | 10.1 mm (Max) |
Упаковка / блок | TO-220-3 |
Ширина | 4.7 mm (Max) |
Вес изделия | 1.800 g |
ECCN | EAR99 |
Вид монтажа | Through Hole |
Pd - рассеивание мощности | 30 W |
Конфигурация | Single |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 60 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.4 V |
Полярность транзистора | NPN |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
Максимальный постоянный ток коллектора | 3 A |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 3 MHz |
Непрерывный коллекторный ток | 3 A |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 60 |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 300 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара