NTMFS5C646NLT1G, МОП-транзистор NFET SO8FL 60V 92A 4.5MOH
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание NTMFS5C646NLT1G
| ECCN | EAR99 |
|---|---|
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Вес изделия | 107.200 mg |
| Упаковка / блок | SO-FL-8 |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Pd - рассеивание мощности | 66 W |
| Время спада | 5.1 ns |
| Время нарастания | 14.9 ns |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 89 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 4.7 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Qg - заряд затвора | 15.7 nC |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 23.6 ns |
| Типичное время задержки при включении | 10.4 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара