NSV2SC5658M3T5G, Биполярные транзисторы - BJT GENERAL PURPOSE

Код товара: 10410123

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
NSV2SC5658M3T5G
Производитель:

Описание NSV2SC5658M3T5G

УпаковкаReel, MouseReel, Cut Tape
Максимальная рабочая температура+ 150 C
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Вес изделия1.275 mg
ECCNEAR99
КвалификацияAEC-Q101
Упаковка / блокSOT-723-3
КонфигурацияSingle
Полярность транзистораNPN
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)120
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.50 V
Pd - рассеивание мощности260 mW
Напряжение коллектор-база (VCBO)5 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)7 V
Максимальный постоянный ток коллектора150 mA
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер400 mV
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)180 MHz
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.560 at 1 mA, 6 VDC

Способы доставки в Калининград

Доставка NSV2SC5658M3T5G , Биполярные транзисторы - BJT GENERAL PURPOSE в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 900
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 797
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2524
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290
EMS
от 5 раб. дней
от 1481
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.