SIR122DP-T1-RE3, МОП-транзистор 80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание SIR122DP-T1-RE3
| ECCN | EAR99 |
|---|---|
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Серия | SIR |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка / блок | PowerPAK-SO-8 |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET, PowerPAK |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Технология | Si |
| Конфигурация | Single |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 65.7 W |
| Время спада | 6 ns |
| Время нарастания | 6 ns |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 80 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 59.6 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 7.4 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Qg - заряд затвора | 44 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Типичное время задержки выключения | 20 ns |
| Типичное время задержки при включении | 13 ns |
| Тип транзистора | 1 N-Channel TrenchFET Power MOSFET |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 65 S |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара