SH8K51GZETB, МОП-транзистор 35V N-CHANNEL DUAL
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание SH8K51GZETB
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Упаковка / блок | SOP-8 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Вес изделия | 4.885 g |
| ECCN | EAR99 |
| Pd - рассеивание мощности | 2 W |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 35 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 4 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 58 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.2 V |
| Qg - заряд затвора | 4 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Конфигурация | Dual |
| Тип транзистора | 2 N-Channel |
| Время спада | 5 ns |
| Время нарастания | 6 ns |
| Типичное время задержки выключения | 23 ns |
| Типичное время задержки при включении | 7 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара