DMN2005UFG-13, МОП-транзистор 20V N-Ch Enh Mode FET 12Vgss 1.05W
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
МОП-транзистор 20V N-Ch Enh Mode FET 12Vgss 1.05W
Артикул:
DMN2005UFG-13
Производитель:
Описание DMN2005UFG-13
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Упаковка / блок | PowerDI3333-8 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Серия | DMN2005 |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| ECCN | EAR99 |
| Pd - рассеивание мощности | 2.27 W |
| Вес изделия | 72 mg |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Технология | Si |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 18.1 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 8.7 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 12 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 700 mV |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Время спада | 38 ns |
| Время нарастания | 25.7 ns |
| Типичное время задержки выключения | 114 ns |
| Типичное время задержки при включении | 12.4 ns |
| Qg - заряд затвора | 68.8 nC |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара