IKY50N120CH3XKSA1, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) INDUSTRY 14
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) INDUSTRY 14
Артикул:
IKY50N120CH3XKSA1
Производитель:
Описание IKY50N120CH3XKSA1
Вид монтажа | Through Hole |
---|---|
Упаковка / блок | TO247-4-2 |
Минимальная рабочая температура | 40 C |
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
Упаковка | Tube |
Серия | IGBT HighSpeed 3 |
Вес изделия | 6 g |
ECCN | EAR99 |
Коммерческое обозначение | TRENCHSTOP |
Pd - рассеивание мощности | 652 W |
Технология | Si |
Конфигурация | Single |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2 V |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 100 A |
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 100 A |
Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара