SI3460BDV-T1-E3, МОП-транзистор 20V 8.0A 3.5W
Код товара: 10394400
Цена от:
83,31 руб.
Нет в наличии
Описание SI3460BDV-T1-E3
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Упаковка / блок | TSOP-6 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Серия | SI3 |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Вес изделия | 20 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Длина | 3.05 mm |
| Ширина | 1.65 mm |
| Высота | 1.1 mm |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET |
| Pd - рассеивание мощности | 3.5 W |
| Время нарастания | 60 ns |
| Время спада | 6 ns |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 8 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 27 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 8 V, + 8 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 450 mV |
| Qg - заряд затвора | 16 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 25 ns |
| Типичное время задержки при включении | 7 ns |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 22 S |
Способы доставки в Калининград
Доставка SI3460BDV-T1-E3 , МОП-транзистор 20V 8.0A 3.5W
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 807 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 710 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2179 ₽
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара