SI4447DY-T1-GE3, МОП-транзистор 40V 4.5A 2.0W 54mohm @ 10V
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание SI4447DY-T1-GE3
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Упаковка / блок | SO-8 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Серия | SI4 |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Технология | Si |
| Вес изделия | 187 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET |
| Pd - рассеивание мощности | 2 W |
| Конфигурация | Single |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 54 mOhms |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 40 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 4.5 A |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 16 V, + 16 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.2 V |
| Qg - заряд затвора | 14 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара