SI7998DP-T1-GE3, МОП-транзистор 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание SI7998DP-T1-GE3
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Серия | SI7 |
| ECCN | EAR99 |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET |
| Вес изделия | 506.600 mg |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Упаковка / блок | PowerPAK-SO-8 |
| Pd - рассеивание мощности | 22 W, 40 W |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 25 A, 30 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 9.3 mOhms, 5.3 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.2 V |
| Qg - заряд затвора | 26 nC, 48 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Конфигурация | Dual |
| Тип транзистора | 2 N-Channel |
| Время спада | 10 ns, 13 ns |
| Время нарастания | 15 ns, 17 ns |
| Типичное время задержки выключения | 22 ns, 35 ns |
| Типичное время задержки при включении | 20 ns, 26 ns |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 45 S, 71 S |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара