BSZ22DN20NS3 G, МОП-транзистор N-Ch 200V 7A TSDSON-8 OptiMOS 3
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
МОП-транзистор N-Ch 200V 7A TSDSON-8 OptiMOS 3
Артикул:
BSZ22DN20NS3 G
Производитель:
Описание BSZ22DN20NS3 G
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
|---|---|
| Вес изделия | 35.670 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка / блок | TSDSON-8 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Длина | 3.3 mm |
| Ширина | 3.3 mm |
| Высота | 1.1 mm |
| Технология | Si |
| Конфигурация | Single |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 34 W |
| Время спада | 3 ns |
| Время нарастания | 4 ns |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 200 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 7 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 194 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Qg - заряд затвора | 5.6 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 6 ns |
| Типичное время задержки при включении | 4 ns |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 3.5 S |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара