SQ4532AEY-T1_GE3, МОП-транзистор N Ch 30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание SQ4532AEY-T1_GE3
| Серия | SQ |
|---|---|
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET |
| Вес изделия | 74 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка / блок | SO-8 |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | N-Channel, P-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 7.3 A, 5.3 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 21 mOhms, 56 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.5 V, 2.5 V |
| Qg - заряд затвора | 5.9 nC, 7.9 nC |
| Pd - рассеивание мощности | 3.3 W |
| Канальный режим | Enhancement |
| Конфигурация | Dual |
| Тип транзистора | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| Время спада | 19 ns, 16 ns |
| Время нарастания | 17 ns, 17 ns |
| Типичное время задержки выключения | 10 ns, 19 ns |
| Типичное время задержки при включении | 7 ns, 6 ns |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 22 S, 5.5 S |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара