MJD112T4, Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 2 А, 20 Вт

Код товара: 103820

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
MJD112T4
Производитель:
Описание Eng:
NPN Darlington 100V 2A
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:
2500 шт
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Тип транзистора:
NPN, составной
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
100 В
Ток коллектора Макс.:
2 А
Мощность Макс.:
20 Вт
Коэффициент усиления hFE:
1000
Показать аналоги

Технические параметры

Тип транзистора

NPN, составной

Напряжение Колл-Эмитт. Макс

100 В

Ток коллектора Макс.

2 А

Мощность Макс.

20 Вт

Коэффициент усиления hFE

1000

Тип монтажа

Поверхностный

Граничная частота

25 МГц

Корпус

DPAK/TO-252AA

Вес брутто

0.54 г.

Описание MJD112T4

Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 2 А, 20 Вт

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Аналоги и возможные замены

MJD112RLG Полный аналог Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 2 А Производитель: ON Semiconductor
MJD112G Полный аналог Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 2 А, 20Вт Производитель: ON Semiconductor
MJD112T4G Полный аналог Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 2 А Производитель: ON Semiconductor

Способы доставки в Калининград

Доставка MJD112T4 , Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 2 А, 20 Вт в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 900
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 797
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2524
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290
EMS
от 5 раб. дней
от 1481
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.