SI1869DH-T1-GE3, МОП-транзистор -20V Vds 8V Vgs SOT-363
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание SI1869DH-T1-GE3
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Упаковка / блок | SOT-363-6 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Технология | Si |
| Вес изделия | 7.500 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Длина | 2.1 mm |
| Ширина | 1.25 mm |
| Высота | 1 mm |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET |
| Pd - рассеивание мощности | 1 W |
| Конфигурация | Dual |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 165 mOhms |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 1.2 A |
| Канальный режим | Enhancement |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара