KSC3503DSTU, Биполярные транзисторы - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
Биполярные транзисторы - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
Артикул:
KSC3503DSTU
Производитель:
Описание KSC3503DSTU
Упаковка | Tube |
---|---|
Серия | KSC3503 |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Высота | 11 mm |
Длина | 8 mm |
Упаковка / блок | TO-126-3 |
Ширина | 3.25 mm |
Вес изделия | 761 mg |
ECCN | EAR99 |
Вид монтажа | Through Hole |
Pd - рассеивание мощности | 7 W |
Конфигурация | Single |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 300 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.6 V |
Полярность транзистора | NPN |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 300 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Максимальный постоянный ток коллектора | 0.1 A |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 150 MHz |
Непрерывный коллекторный ток | 0.1 A |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 40 |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 320 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара