RQ5H020SPTL, МОП-транзистор Pch -45V -2.0A Power МОП-транзистор
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание RQ5H020SPTL
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Упаковка / блок | SOT-346-3 |
| Тип | Power MOSFET |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 1 W |
| ECCN | EAR99 |
| Продукт | MOSFET |
| Технология | Si |
| Высота | 1 mm |
| Длина | 2.9 mm |
| Ширина | 1.65 mm |
| Вес изделия | 12 mg |
| Конфигурация | Single with ESD Protection Diode |
| Время нарастания | 10 ns |
| Время спада | 10 ns |
| Тип транзистора | 1 P-Channel |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 280 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 45 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 2 A |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Типичное время задержки выключения | 35 ns |
| Типичное время задержки при включении | 8 ns |
| Qg - заряд затвора | 9.5 nC |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара