DMP2021UFDF-7, МОП-транзистор P-Ch -20V Enh FET 8Vgss 0.73W 2760pF
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
МОП-транзистор P-Ch -20V Enh FET 8Vgss 0.73W 2760pF
Артикул:
DMP2021UFDF-7
Производитель:
Описание DMP2021UFDF-7
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Упаковка / блок | U-DFN2020-F-6 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Серия | DMP2021 |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Продукт | Enhancement Mode MOSFET |
| Тип | Enhancement Mode MOSFET |
| ECCN | EAR99 |
| Высота | 0.6 mm |
| Длина | 2 mm |
| Ширина | 2 mm |
| Pd - рассеивание мощности | 2.02 W |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Технология | Si |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 9 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 22 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 8 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 350 mV |
| Канальный режим | Enhancement |
| Время спада | 96 ns |
| Время нарастания | 25 ns |
| Типичное время задержки выключения | 125 ns |
| Типичное время задержки при включении | 7.5 ns |
| Qg - заряд затвора | 59 nC |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара