IPD80R900P7ATMA1, МОП-транзистор
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание IPD80R900P7ATMA1
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Серия | CoolMOS P7 |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| ECCN | EAR99 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Коммерческое обозначение | CoolMOS |
| Упаковка / блок | DPAK-3 |
| Конфигурация | Single |
| Время спада | 20 ns |
| Время нарастания | 8 ns |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 45 W |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 800 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 6 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 770 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Qg - заряд затвора | 15 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 40 ns |
| Типичное время задержки при включении | 12 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.5 V |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара