IPD80R1K2P7ATMA1, МОП-транзистор LOW POWER_NEW
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание IPD80R1K2P7ATMA1
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
|---|---|
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Серия | CoolMOS P7 |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Коммерческое обозначение | CoolMOS |
| Вес изделия | 387.640 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка / блок | DPAK-3 |
| Технология | Si |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 800 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 4.5 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1 Ohms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.5 V |
| Qg - заряд затвора | 11 nC |
| Pd - рассеивание мощности | 37 W |
| Канальный режим | Enhancement |
| Конфигурация | Single |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Время спада | 20 ns |
| Время нарастания | 8 ns |
| Типичное время задержки выключения | 40 ns |
| Типичное время задержки при включении | 10 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара