RS1E200BNTB, МОП-транзистор 4.5V Drive Nch МОП-транзистор
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание RS1E200BNTB
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Упаковка / блок | HSOP-8 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 25 W |
| ECCN | EAR99 |
| Технология | Si |
| Вес изделия | 5.577 g |
| Конфигурация | Single |
| Время нарастания | 65 ns |
| Время спада | 25 ns |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 2.8 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 20 A |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Типичное время задержки выключения | 105 ns |
| Типичное время задержки при включении | 20 ns |
| Qg - заряд затвора | 59 nC |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара