ZTX657, Биполярные транзисторы - BJT NPN Super E-Line
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание ZTX657
| Технология | Si |
|---|---|
| Серия | ZTX657 |
| Упаковка | Bulk |
| Вес изделия | 453.600 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Упаковка / блок | TO-92-3 |
| Конфигурация | Single |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 200 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 300 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 500 mV |
| Pd - рассеивание мощности | 1 W |
| Высота | 4.01 mm |
| Длина | 4.77 mm |
| Ширина | 2.41 mm |
| Полярность транзистора | NPN |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 300 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 500 mA |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 30 MHz |
| Непрерывный коллекторный ток | 0.5 A |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 50 at 100 mA, 5 V, 40 at 10 mA, 5 V |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 50 at 100 mA, 5 V |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара