SISA14DN-T1-GE3, МОП-транзистор For New Design See: 78-SISHA14DN-T1-GE3
Код товара: 10366383
Цена от:
62,81 руб.
Нет в наличии
Описание SISA14DN-T1-GE3
| Вес изделия | 107.346 mg |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Серия | SIS |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка / блок | PowerPAK-1212-8 |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET, PowerPAK |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Технология | Si |
| Конфигурация | Single |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 26.5 W |
| Время спада | 8 ns |
| Время нарастания | 8 ns |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 20 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 4.25 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 16 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.1 V |
| Qg - заряд затвора | 29 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Типичное время задержки выключения | 18 ns |
| Типичное время задержки при включении | 9 ns |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 65 S |
Способы доставки в Калининград
Доставка SISA14DN-T1-GE3 , МОП-транзистор For New Design See: 78-SISHA14DN-T1-GE3
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 794 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 288 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2155 ₽
Почта РФ
от 10 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 747 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара