MMBT5401WT1G, Биполярные транзисторы - BJT PNP HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Биполярные транзисторы - BJT PNP HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
Артикул:
MMBT5401WT1G
Производитель:
Описание MMBT5401WT1G
| Серия | MMBT5401W |
|---|---|
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Вес изделия | 5 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка / блок | SOT-323-3 |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 400 mW |
| Конфигурация | Single |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 150 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 160 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 500 mA |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 300 MHz |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 240 at - 10 mA, - 5 VDC |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 60 at - 10 mA, - 5 VDC |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 200 mV |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара