MMBT5401WT1G, Биполярные транзисторы - BJT PNP HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
Код товара: 10364841
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
6,76 руб.
Нет в наличии
Описание MMBT5401WT1G
| Серия | MMBT5401W |
|---|---|
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Вес изделия | 5 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка / блок | SOT-323-3 |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 400 mW |
| Конфигурация | Single |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 150 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 160 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 500 mA |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 300 MHz |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 240 at - 10 mA, - 5 VDC |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 60 at - 10 mA, - 5 VDC |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 200 mV |
Способы доставки в Калининград
Доставка MMBT5401WT1G , Биполярные транзисторы - BJT PNP HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 900 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 797 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2524 ₽
Почта РФ
от 10 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара