R6504KNJTL, МОП-транзистор 650V N-CH 4A POWER МОП-транзистор
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание R6504KNJTL
| ECCN | EAR99 |
|---|---|
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Упаковка / блок | TO-263-3 |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Pd - рассеивание мощности | 58 W |
| Время спада | 35 ns |
| Время нарастания | 17 ns |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 4 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.05 Ohms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Qg - заряд затвора | 10 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 30 ns |
| Типичное время задержки при включении | 16 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара