SI4463BDY-T1-GE3, МОП-транзистор 20V 13.7A 3.0W 11mohm @ 10V
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание SI4463BDY-T1-GE3
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Упаковка / блок | SO-8 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Серия | SI4 |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Pd - рассеивание мощности | 3 W |
| Вес изделия | 187 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET |
| Технология | Si |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 13.7 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 20 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 12 V, + 12 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.4 V |
| Qg - заряд затвора | 56 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара