RGTH60TS65DGC11, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 30A IGBT Stop Trench
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 30A IGBT Stop Trench
Артикул:
RGTH60TS65DGC11
Производитель:
Описание RGTH60TS65DGC11
Вид монтажа | Through Hole |
---|---|
Минимальная рабочая температура | 40 C |
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
Серия | RGTH60TS65 |
Упаковка | Tube |
Диапазон рабочих температур | 40 C to + 175 C |
Вес изделия | 2 g |
ECCN | EAR99 |
Технология | Si |
Pd - рассеивание мощности | 194 W |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 650 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.6 V |
Непрерывный коллекторный ток | 30 A |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 58 A |
Ток утечки затвор-эмиттер | +/- 200 nA |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 30 V |
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 58 A |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара