IPS65R1K4C6, МОП-транзистор N-Ch 700V 3.2A IPAK-3
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание IPS65R1K4C6
| Вид монтажа | Through Hole |
|---|---|
| Серия | CoolMOS C6 |
| Упаковка | Tube |
| Вес изделия | 340 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Длина | 6.73 mm |
| Коммерческое обозначение | CoolMOS |
| Ширина | 2.38 mm |
| Высота | 6.22 mm |
| Упаковка / блок | TO-251-3 |
| Конфигурация | Single |
| Время спада | 18.2 ns |
| Время нарастания | 5.9 ns |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 28 W |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 3.2 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.26 Ohms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Qg - заряд затвора | 10.5 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 33 ns |
| Типичное время задержки при включении | 7.7 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.5 V |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара