KSD1691GSTU, Биполярные транзисторы - BJT 60V 5A NPN BJT
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание KSD1691GSTU
| Серия | KSD1691 |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Вес изделия | 761 mg |
| Упаковка / блок | TO-126-3 |
| Упаковка | Tube |
| Pd - рассеивание мощности | 1300 mW |
| Длина | 8 mm |
| Ширина | 3.25 mm |
| Высота | 11 mm |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | NPN |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 60 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 5 A |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 200 at 2 A, 1 V |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 200 at 2 A, 1 V |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара