IGB20N65S5ATMA1, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS
Артикул:
IGB20N65S5ATMA1
Производитель:
Описание IGB20N65S5ATMA1
| Упаковка / блок | TO-263-3 |
|---|---|
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Серия | Trenchstop IGBT5 |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Pd - рассеивание мощности | 125 W |
| Вес изделия | 1.557 g |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Коммерческое обозначение | TRENCHSTOP |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 650 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.35 V |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 40 A |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 40 A |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара