IGW50N60TFKSA1, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
Артикул:
IGW50N60TFKSA1
Производитель:
Описание IGW50N60TFKSA1
| Упаковка | Tube |
|---|---|
| Серия | Trenchstop IGBT3 |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Вес изделия | 5.420 g |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Коммерческое обозначение | TRENCHSTOP |
| Pd - рассеивание мощности | 333 W |
| Конфигурация | Single |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.5 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 90 A |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара