ZTX853, Биполярные транзисторы - BJT NPN Medium Power
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание ZTX853
| Упаковка / блок | TO-92-3 |
|---|---|
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Серия | ZTX853 |
| Упаковка | Bulk |
| Pd - рассеивание мощности | 1.2 W |
| Вес изделия | 453.600 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Полярность транзистора | NPN |
| Конфигурация | Single |
| Высота | 4.01 mm |
| Длина | 4.77 mm |
| Ширина | 2.41 mm |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 100 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 200 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 160 mV |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 4 A |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 130 MHz |
| Непрерывный коллекторный ток | 4 A |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара