R6004ENJTL, МОП-транзистор 10V Drive Nch МОП-транзистор
Описание R6004ENJTL
Вид монтажа | SMD/SMT |
---|---|
Упаковка / блок | TO-263-3 |
Время нарастания | 22 ns |
Время спада | 40 ns |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Серия | Super Junction-MOS EN |
Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
Технология | Si |
Pd - рассеивание мощности | 58 W |
Вес изделия | 2.200 g |
ECCN | EAR99 |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Полярность транзистора | N-Channel |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
Id - непрерывный ток утечки | 4 A |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 900 mOhms |
Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
Qg - заряд затвора | 15 nC |
Канальный режим | Enhancement |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 55 ns |
Типичное время задержки при включении | 22 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара